详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案- 知乎
2023年4月28日 - 该工艺加工后的晶片表面粗糙度低,能达到Ra 3nm,这更有利于碳化硅衬底片后工序的抛光,但划伤不良一直存在.碳化硅衬底的加工主要分为以下几个...工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程- 知乎
2020年12月8日 - 硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半....研磨根据工艺的不同可分为粗...碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势- 知乎
2021年12月16日 - 研磨加工碳化硅切片表面时,使用的磨料通常为碳化硼或金刚石,可分为粗磨和精磨.碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能,因此外延应用对碳化硅晶...一图搞懂碳化硅——衬底篇-电子工程专辑
发贴时间:2022年5月3日 - 此处广告,与本文无关 免责声明: 该内容由专栏作者授权发... 杂散电容可能对无源晶振的输出频率精度及稳定性造成不确定性影响。一般情况下,杂...碳化硅衬底- 360文库
阅读文档16页 - 10元 - 上传时间:2023年8月26日
本发明涉及碳化硅衬底。所述碳化硅衬底具有主表面,所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度(Ra),以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬,在所...其他人还搜了
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SiC(碳化硅) 晶体衬底
型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。其优异的高压电阻、高频电阻等物理特性可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制...
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中国电子科技集团公司第四十五研究所CHINAELECTRONICSTECHNOLOGYGROUPCORPORATIONNO.45RESEARCHINSTITUTE 地址:北京东燕郊开发区海油大街0号 ...露笑科技:公司碳化硅衬底片产业化项目完成后,年产能达8.8万片
2020年7月30日 - 除此之外,为满足公司持续发展的需要,以新技术、新产品发展公司战略新兴产业,公司在原有蓝宝石生产技术支持下成功研发出碳化硅长晶设备,公司...-
一种超快速低损碳化硅衬底抛光液及其制备方法与流程
2020年6月20日 - 高等级的商业化微电子元器件,光滑、无缺陷的衬底片对于获得高质量的外延层是很重要的,需要碳化硅衬底具有无缺陷的表面及超洁净的表面.本发明采用所述...